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光刻機(jī)再次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破!14nm到9nm
2021-01-19
中國(guó)高科技企業(yè)受到北美限制后加強(qiáng)了對(duì)國(guó)內(nèi)供應(yīng)的需求,為中國(guó)芯片業(yè)發(fā)展帶來(lái)了3000億美元的投資機(jī)會(huì).當(dāng)前,中國(guó)已經(jīng)有近2000家芯片設(shè)計(jì)相關(guān)企業(yè),主要有華為,紫光展銳,依圖科技等,中國(guó)芯片企業(yè)占全球芯片營(yíng)收13%.而重視之下必有突破,近期中國(guó)芯片更是迎來(lái)了三大利好消息.
1、從無(wú)到有,中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量全球占比將達(dá)5%
過(guò)去五年由于深受存儲(chǔ)芯片短缺之苦,中國(guó)掀起了一股存儲(chǔ)芯片發(fā)展熱潮.經(jīng)過(guò)堅(jiān)持不懈的努力之后,今年中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域不斷取得新的突破.據(jù)日媒報(bào)道,中國(guó)新興芯片產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)量有望在2020年底占到全球存儲(chǔ)芯片總產(chǎn)量的5%左右,而這一占比在去年還幾乎為零.
據(jù)了解,今年9月中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始對(duì)自主研發(fā)的64層3D NAND閃存芯片進(jìn)行量產(chǎn).而據(jù)其預(yù)計(jì),到明年年底,其投資240億美元新建的武漢工廠的產(chǎn)量將增加兩倍,達(dá)到每月6萬(wàn)片,占全球產(chǎn)量的5%.與此同時(shí),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在合肥投資80億美元所建工廠的DRAM芯片產(chǎn)量將增加三倍,達(dá)到每月4萬(wàn)片,占世界DRAM產(chǎn)量的3%.
目前,NAND閃存和DRAM芯片的全球產(chǎn)量均為每月130萬(wàn)片左右.這兩個(gè)市場(chǎng)都由美國(guó)、韓國(guó)和日本的制造商所主導(dǎo),比如三星電子、SK海力士、美光科技.雖說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)加起來(lái)每月10萬(wàn)片的出貨量對(duì)于大公司而言顯得微不足道,但是,此前在這兩個(gè)市場(chǎng)中國(guó)都是"零生產(chǎn)",這10萬(wàn)片意味著中國(guó)推動(dòng)技術(shù)自給自足的努力即將取得重大突破,同時(shí)也是打破美日韓壟斷的關(guān)鍵.
2、14nm到9nm,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)再次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破!
在一般情況下,芯片的生產(chǎn)過(guò)程包括兩個(gè)環(huán)節(jié),一個(gè)環(huán)節(jié)是設(shè)計(jì),一個(gè)環(huán)節(jié)是制造.我國(guó)在芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié),包括華為海思等知名中國(guó)科技企業(yè)均已經(jīng)研發(fā)出7nm工藝制程的芯片,但是芯片制造環(huán)節(jié)卻依舊是中國(guó)企業(yè)最大的短板,畢竟用于生產(chǎn)制造芯片的光刻機(jī)便是一大難題.而在意識(shí)到芯片制造過(guò)程受限于人將會(huì)產(chǎn)生連鎖弊端后,中國(guó)開(kāi)始在國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)領(lǐng)域進(jìn)行了巨額投入,并且不斷傳來(lái)好消息.
前段時(shí)間,中國(guó)自主研發(fā)的14nm光刻機(jī)已經(jīng)初步通過(guò)了專家組的驗(yàn)收和審核,而繼14nm制程工藝后,一個(gè)振奮人心的消息再次傳來(lái),國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)再一次實(shí)現(xiàn)了新的技術(shù)突破.據(jù)媒體報(bào)道,武漢光電國(guó)家研究中心的甘宗松團(tuán)隊(duì),目前已經(jīng)成功研發(fā)9nm工藝制程的光刻機(jī).值得一提的是,與傳統(tǒng)光刻機(jī)不同,這款國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)利用二束激光突破了衍射極限的限制,而這是中國(guó)具有自主產(chǎn)權(quán)的技術(shù).
這也意味著國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的技術(shù)難關(guān)已經(jīng)被攻破,打破了長(zhǎng)期以來(lái)國(guó)外對(duì)中國(guó)的技術(shù)封鎖與限制,不過(guò)即便目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)在9nm制程工藝方面有所突破,而與荷蘭ASML所掌握的7nm工藝制程相比還是存在一定的差距.但是不可置否的是這確實(shí)是中國(guó)芯片發(fā)展史上的一個(gè)重要里程碑,一旦國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),未來(lái)能否打破ASML壟斷我們可以拭目以待.
3、中國(guó)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)新突破:成功進(jìn)軍全球首條5nm芯片制程生產(chǎn)線另外,除了光刻機(jī),蝕刻機(jī)也是半導(dǎo)體工藝中不可缺少的一步.據(jù)了解,光刻機(jī)、蝕刻機(jī)和MOCVD等設(shè)備,一并被稱為半導(dǎo)體工藝三大關(guān)鍵設(shè)備.刻蝕機(jī)作為芯片制造中的一種關(guān)鍵設(shè)備,用來(lái)在芯片上進(jìn)行微觀雕刻,一定程度上決定了芯片制造的最高水平.然而,鮮為人知的是,我國(guó)國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)水平早已遙遙領(lǐng)先世界.
根據(jù)摩爾定律的發(fā)展走,臺(tái)積電的芯片制程已經(jīng)從14nm發(fā)展到5nm,并將進(jìn)入大規(guī)模的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),而芯片制程不斷地演進(jìn),對(duì)設(shè)備的加工精度要求也隨之提升.值得一提的是,經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證,中微半導(dǎo)體自主研制的5nm等離子體刻蝕機(jī),性能優(yōu)良,將用于全球首條5nm芯片制程生產(chǎn)線.
而中微半導(dǎo)體的5nm蝕刻機(jī)成功打入臺(tái)積電的供應(yīng)鏈,則意味著創(chuàng)造了中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的又一個(gè)里程碑.可以看出,越來(lái)越多的證據(jù)表明,中國(guó)的芯片制造正在進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代,雖說(shuō),如今我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)與世界一線水平仍存在著一定的差距,但是我們?nèi)砸嘈?道阻且長(zhǎng),行則將至.
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